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SiC-Diode

SiC-Diode

低导通压降 无反向恢复电荷 高抗浪涌能力 高雪崩耐量 高可靠性

产品描述

      安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅二极管(SiC diode),由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用独特的元胞和终端设计,实现了导通压降(VF)和击穿电压(BV)间更好的折中,同时,拥有更好的抗浪涌能力,雪崩耐量和可靠性。

      基于SiC diode导通压降低,反向恢复电荷少的特点,其主要应用于通信电源、服务器电源,电动汽车,充电桩,光伏等。

产品列表

Product Package VRRM IF Qc IFSM
V A nC A
JDH20B120PJ TO-247 1200 10 121 135
JDP20B120PJ TO-220 1200 10 121 135