| 型号 | 描述 | 工作电压范围(V) | 输出持续电流 (Max)(A) | 峰值电流 (Max)(A) | 导通电阻 (Typ)(mΩ) (HS+LS) | 类型 | 架构 | 数量 | 接口 | 工作温度(℃) | 封装 | 状态 |
|
单级步进电机驱动 |
6.5-38 |
0.68 |
- |
1500 |
低边驱动 |
内置MOS |
2 |
SPI |
-40 to 85 |
eTSSOP16 |
正在供货 |
|
|
单级步进电机驱动 |
7.2-50 |
- |
1 |
420 |
低边驱动 |
内置MOS |
1 |
EN/IN |
-40 to 85 |
eTSSOP16 |
正在供货 |
|
|
单级步进电机驱动 |
7.2-50 |
- |
1 |
420 |
低边驱动 |
内置MOS |
1 |
EN/IN |
-40 to 85 |
eTSSOP16 |
正在供货 |
|
|
单级步进电机驱动 |
7.2-50 |
- |
1 |
420 |
低边驱动 |
内置MOS |
1 |
SPI |
-40 to 85 |
eTSSOP16 |
正在供货 |
|
|
双路DMOS PWM，通过VREF控制实现更高细分 |
8 - 36 |
1 |
1.2 |
1000 |
4个H桥 |
内置MOS |
2 |
PHASE/EN |
-40-105 |
TQFP48/QFN36 |
正在供货 |
|
|
4细分，通过VREF控制实现更高细分 |
7 - 30 |
1.4 |
2 |
500 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
PHASE/I0,I1 |
-40-85 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
4细分，通过VREF控制实现更高细分 |
7 - 30 |
1.4 |
2 |
490 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
PHASE/I0,I1 |
-40-85 |
Etssop28/QFN28 |
正在供货 |
|
|
双路DMOS PWM，通过VREF控制实现更高细分 |
8 - 50 |
- |
2 |
500 |
4个H桥 |
内置MOS |
2 |
PHASE |
-40-125 |
QFN36 |
正在供货 |
|
|
双路DMOS PWM，4细分，通过VREF控制实现更高细分 |
8 - 36 |
0.8 |
1.2 |
1000 |
4个H桥 |
内置MOS |
2 |
PHASE/I0,I1 |
-40-105 |
TQFP48/QFN36 |
正在供货 |
|
|
双路DMOS PWM，4细分，通过VREF控制实现更高细分 |
8 - 36 |
0.8 |
1.2 |
1000 |
4个H桥 |
内置MOS |
2 |
PHASE/I0,I1 |
-40-105 |
TQFP48/QFN36 |
正在供货 |
|
|
双路DMOS PWM驱动芯片，256细分 |
8 - 36 |
0.8 |
1.2 |
1000 |
4个H桥 |
内置MOS |
2 |
PHASE/I0,I1 |
-40-125 |
TQFP48 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，256细分，静音模式 |
4.7-36 |
1.4 |
2 |
570 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 125 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，256细分，静音模式 |
4.7-36 |
1.4 |
2 |
570 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 125 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，256细分，静音模式 |
4.7-36 |
1.4 |
2 |
570 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 125 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，256细分，静音模式 |
4.7-36 |
1.4 |
2 |
570 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 125 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，16细分 |
7-35 |
- |
2 |
750 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 100 |
TSSOP28 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，16细分 |
7-35 |
- |
1.5 |
730 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-20 to 85 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
S/D接口，16细分 |
7-35 |
- |
2 |
750 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 100 |
TSSOP28 |
正在供货 |
|
|
S/D，256细分，预驱， 0.2A（拉电流）/0.4A（灌电流） |
8-55 |
- |
- |
- |
2 |
256 |
1 |
SPI |
-40 to 85 |
TSSOP38/eTSSOP38 |
正在供货 |
|
|
运动控制，256细分，静音模式，堵转检测 |
4.75-36 |
1 |
2.5 |
570 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
UART/SPI |
-40 to 125 |
TQFP48 |
正在供货 |
|
|
IIC接口，256细分，低噪音 |
4.0-15 |
1 |
1.4 |
1000 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
I²C |
-40 to 125 |
QFN16 |
正在供货 |
|
|
S/D，256细分，静音模式，堵转检测 |
5-36 |
1.5 |
1.9 |
720 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D，SPI |
-40 to 125 |
QFN32 |
新设计推荐使用 |
|
|
S/D，256细分，静音模式，堵转检测 |
4.75-29 |
2 |
2.8 |
220 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 125 |
QFN28 |
正在供货 |
|
|
IIC接口，256细分，低噪音 |
4.0-15 |
1 |
1.4 |
1000 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
I²C |
-40 to 125 |
SOP16/eTSSOP16 |
正在供货 |
|
|
单级步进电机驱动 |
7.2-50 |
1.4 |
2 |
420 |
低边驱动 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 85 |
eTSSOP16 |
正在供货 |
|
|
S/D，256细分，静音模式，堵转检测 |
4.75-29 |
2 |
2.8 |
240 |
双H桥 |
内置MOS |
1 |
S/D |
-40 to 125 |
eTSSOP28 |
正在供货 |
|
|
双路,运动控制 |
4.7-32 |
1.5 |
2 |
650 |
4个H桥 |
内置MOS |
2 |
SPI |
-40 to 125 |
QFN48 |
正在供货 |
|
|
S/D，256细分，静音模式 |
4.7-36 |
1.4 |
2 |
270 |
双H桥 |
内置MOS |
- |
STEP/DIR |
’-40 to 125 |
eTSSOP28 |
正在供货 |