主要特征
- 低VCE(sat)
- 低开关损耗
- 内置快恢复二极管
- Tvj op=150°C
- VCE(sat)带正温度系数
极限参数
(除非另有说明 , 否则TA = 25ºC )
IGBT,逆变器
|
符号 |
参数 |
参数范围 |
单位 |
|---|---|---|---|
|
VCES |
集电极—发射极电压 |
1200 |
V |
|
VGES |
栅极-发射极电压 |
±20 |
V |
|
IC |
连续集电极电流 (TC=95℃ ),Tvj max=175°C |
50 |
A |
|
ICpulse |
集电极脉冲电流 (tp=1ms) |
100 |
A |
|
Ptot |
耗散功率 (TC=25℃ ) ,Tvj max=175°C |
280 |
W |
FRD,逆变器
|
符号 |
参数 |
参数范围 |
单位 |
|
VRRM |
反向重复峰值电压 |
1200 |
V |
|
IF |
连续正向直流电流 |
50 |
A |
|
IFRM |
正向重复峰值电流 tp=1ms |
100 |
A |
二极管 ,整流器
|
符号 |
参数 |
参数范围 |
单位 |
|
VRRM |
反向重复峰值电压 |
1600 |
V |
|
IRMSM |
最大正向均方根电流(每个芯片) Tc=80°C |
70 |
A |
|
IRMSM |
最大正向均方根电流(每个芯片) Tc=80°C |
80 |
A |
|
参数 |
VCE |
VCE(sat) |
VF |
Tj,Max |
Eon |
Eoff |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
值 |
1200V |
1.9V |
1.7V |
175°C |
3.5mJ |
2.8mJ |
典型应用
封装外形图
产品文档下载
| 产品名称 | 类型 | 大小（KB） | 下载最新中文版本 |
|---|---|---|---|
| TP5012KTS1中文(1) | 1.4MB | TP5012KTS1中文(1) |