智能隔离驱动>单通道增强隔离栅极驱动器（CA-IS3213）
CA-IS3213 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，可用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 器件。器件具有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达±15A 峰值的拉/灌电流能力。 器件通过 SiO2电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的 电气隔离，支持 1.5kVRMS 的隔离工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年，同时具有良好的器件一致性以及>150V/ns 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。 器件控制和驱动侧电源UVLO，同时针对SiC和IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。此外，CAIS3213MCG 内置 4A 峰值电流有源米勒钳位；CA-IS3213VCG 外置 COM 脚，便于隔离驱动侧正负电源供电；CA-IS3213SCG 采用 OUTH 和 OUTL 分离输出配置。 全系列采用 SOIC8-WB 宽体封装，爬电距离和间隙距离大于 8mm。
特性
| 5.7kVRMS耐压等级的单通道隔离栅极驱动器 | |
| 33V 最大输出驱动电压（VDD–VEE） | |
| ±15A 峰值驱动电流能力 | |
| CA-IS3213MCG 版本具有 | 内置 4A 峰值电流有源米勒钳位 |
| CA-IS3213VCG 版本具有 | 外置 COM 脚，便于隔离驱动侧正负电源供电 |
| CA-IS3213SCG 版本具有 | OUTH 和 OUTL 分离输出配置 |
| 高共模瞬态抗扰度 | 150V/ns（最小值） |
| 输入引脚上 40ns（典型值）瞬态和脉冲抑制功能 | |
| 隔离驱动侧 VDD 供电包含 12V UVLO 功能 | |
| 延时特性 | ▪ 130ns（最大值）传播延迟 |
| ▪ 30ns（最大值）脉宽失真 | |
| ▪ 30ns（最大值）器件间延时匹配 | |
| SOIC8-WB 宽体封装，爬电距离和间隙距离>8mm | |
| 额定工作电压下隔离栅寿命大于40年 | |
| 工作结温（TJ）范围 | –40°C 至 150°C |
应用
• 光伏逆变器
• 储能变流器
• 工控电机控制器
• 充电桩功率模块
• UPS 及工业电源等
器件信息
| 器件型号 | 封装 | 封装尺寸 （标称值） |
| CA-IS3213MCG | SOIC8-WB (G) | 7.5mm x 5.85mm |
| CA-IS3213VCG | SOIC8-WB (G) | 7.5mm x 5.85mm |
| CA-IS3213SCG | SOIC8-WB (G) | 7.5mm x 5.85mm |
