特性
| 模拟光耦输入特性 | |
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输出背靠背设计，防止电流反 |
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漏源极电压高达1700V |
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超低关断静态电流 1μA Ma |
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输入级最高反向耐压5.5V |
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| 漏源极支持50mA最大导通电流 | |
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导通电阻 |
300 Ω (max) |
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宽工作温度范围 |
-40 °C ~ 125 °C |
| 高CMTI | ±150 kV/µs（典型） |
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RoHS Compliant |
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应用
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高压电池包电压采样
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高压电池包绝缘检测
器件信息
| 零件号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
| CA-IS3417WT-Q1 | SOIC12-WB(WT) | 10.30 mm × 7.50 mm |
