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首页>锴威特半导体>功率驱动>半桥驱动
Product Status Description Channels Power
switch
Boostrap Voltage
(max)(V)
VCC
(V)
Input
Threshold
VCC UVLO
On/Off(V)
VBS UVLO
On/Off(V)
Dead
Time(ns)
Turn On Prapagation
Delay(ns)
Turn Off Prapagation
Delay(ns)
Package Type Cross
Refrence
CSV5212B

R&D

180V 高频半桥驱动芯片

2

MOSFET

180

9~18

CMOS

7.3V/6.7V

6.9V/6.3V

\

49

44

DFN3*3-10

ISL2100/ISL2101

CSV5214B

R&D

180V 高频半桥驱动芯片

2

MOSFET

180

9~18

CMOS/TTL

7.3V/6.7V

6.9V/6.3V

\

54

47

DFN4*4-8

NCP81075

CSV5215

R&D

180V 高频半桥驱动芯片

2

MOSFET

180

9~18

CMOS/TTL

6.9V/6.3V

6.9V/6.3V

500

575

75

MSOP10

FD2108M

CSV5216

R&D

180V 高频半桥驱动芯片

2

MOSFET

180

9~18

CMOS/TTL

8.2V/7.7V

8.2V/7.7V

30

65

65

DFN3*3-10

2ED2744S01G

CSV5621

R&D

600V 单相半桥驱动

2

IGBT/MOSFET

600

10~20

CMOS/TTL

8.7V/8.2V

\

\

690

170

SOP8L

IR2101

CSV5623

R&D

600V 单相半桥驱动

2

IGBT/MOSFET

600

10~20

CMOS/TTL

8.7V/8.2V

\

560

690

170

SOP8L

IR2103

CSV5613

R&D

600V 2.0A单相半桥驱动

2

IGBT/MOSFET

600

10~20

CMOS/TTL

8.4V/8.0V

\

\

135

130

SOP16L

IR2113

CSV5613B

R&D

600V 2.0A单相半桥驱动

2

IGBT/MOSFET

600

10~20

CMOS/TTL

8.4V/8.0V

\

\

135

130

SOP8

IR2181

CSV5820

R&D

180V GaN MOSFET单相半桥驱动

2

GaN、MOSFET

180

9~20

TTL

8.5V/7.8V

8.5V/7.8V

Programmable

35

35

QFN4*4-20

NCP51820

CSV5120B

R&D

90V/2.5A高频全桥驱动芯片

4

MOSFET

90

9.5~20

CMOS/TTL

8.5V/7.9V

\

Programmable

50

40

SOP20L

HIP4080A

CSV5121

R&D

90V/2.5A高频全桥驱动芯片

4

MOSFET

90

9.5~20

CMOS/TTL

8.5V/7.9V

\

Programmable

50

40

SOP20L

HIP4081A

CSV5062

R&D

55 3A H桥驱动芯片

4

MOSFET

55

12~55

CMOS/TTL

9.5V/9.0V

\

\

300

200

TO220-11

LMD18200

CSV5126B

R&D

100V 三相全桥驱动芯片

6

MOSFET

100

7~15

CMOS/TTL

7.1V/6.6V Programmable

\

0.5us~4.5us Programmable

35/50

35/50

SOP24L

HIP4086

CSV5636

R&D

600V 三相驱动半桥驱动

6

IGBT/MOSFET

600

13~17.5

CMOS/LSTTL

8.9V/8.2V

8.9V/8.2V

310

800

490

SOP28L

IR2136

CSV5632

R&D

600V 三相驱动半桥驱动

6

IGBT/MOSFET

600

13~17.5

CMOS/LSTTL

10.4V/9.4V

10.4V/9.4V

310

800

490

SOP28L

IR21362

CSV5633

R&D

600V 三相驱动半桥驱动

6

IGBT/MOSFET

600

13~17.5

CMOS/LSTTL

11.2V/11V

11.2V/11V

310

800

490

SOP28L

IR21363

CSV5637

Act

600V 三相驱动半桥驱动

6

IGBT/MOSFET

600

13~17.5

CMOS/LSTTL

8.9V/8.2V

8.9V/8.2V

310

800

490

SOP28L

6EDL04I06NT

CSV5639

Act

600V 三相驱动半桥驱动

6

IGBT/MOSFET

600

13~17.5

CMOS/LSTTL

8.9V/8.2V

8.9V/8.2V

310

800

490

SOP28L

6EDL04I06PT