| 型号 | 描述 | 工作电压范围(V) | 输出持续电流 (Max)(A) | 峰值电流 (Max)(A) | 导通电阻 (Typ)(mΩ) (HS+LS) | 通道数量 | 架构 | 接口 | 工作温度(℃) | 封装 | 状态 |
|
单通道 H 桥栅极驱动器， 可以配置成独立半桥， 0.25A（拉电流）/0.5A（灌电流） |
5.5-45 |
- |
- |
- |
2 |
预驱-外置MOS |
PH/EN ，SPI， PWM |
-40 to 125 |
QFN32 |
新设计推荐使用 |
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单通道 H 桥栅极驱动器， 可以配置成独立半桥， 0.25A（拉电流）/0.5A（灌电流） |
5.5-45 |
- |
- |
- |
2 |
预驱-外置MOS |
IN1/IN2 ，PH/EN |
-40 to 125 |
QFN32 |
新设计推荐使用 |
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可接Shunt电阻做限流 |
7.5 - 36 |
1.75 |
2.5 |
440 |
4 |
内置MOS |
EN/IN |
-40 to 125 |
eTSSOP28 |
新设计推荐使用 |
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可接Shunt电阻做限流 |
8 - 36 |
1.75 |
2.5 |
440 |
3 |
内置MOS |
EN/IN |
-40 to 125 |
eTSSOP28/QFN36 |
新设计推荐使用 |
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SPI接口，支持菊花链，每一个半桥支持 0.5A 电流，并联模式下支持最大 6A 电流 |
4.5 - 32 |
1 |
1.4 |
750 |
12 |
内置MOS |
SPI |
-40 to 125 |
eTSSOP24 |
新设计推荐使用 |
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|
可接Shunt电阻做限流 |
1.8-10 |
2 |
2.8 |
420 |
4 |
内置MOS |
EN/IN |
-40 to 125 |
QFN20 |
新设计推荐使用 |
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- |
1.8-10 |
2 |
2.8 |
420 |
3 |
内置MOS |
EN/IN |
-40 to 125 |
QFN16 |
新设计推荐使用 |